在半导体制造设备中,光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备是三大主要的设备,根据 SEMI 测算数据,光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备分别约占半导体设备市场的24%、20%和20%。 刻蚀是利用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程,目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形...
在本文将简要说明湿法蚀刻和干法蚀刻每种蚀刻技术的特点和区别。 在半导体制造中,在处理基板或在基板上形成的薄膜的过程中,有一种称为“蚀刻”的技术。蚀刻技术的发展对实现英特尔创始人戈登·摩尔在1965年提出的“晶体管的集成密度将在1.5到2...
刻蚀技术总述 在20世纪60年代后期,湿法刻蚀曾经是低成本集成电路制造的关键技术。半导体工艺制程及芯片性能的不断迭代不断提升,随着制程进入六次微米级,基于化学反应的湿法刻蚀,已经跟不上芯片的精度要求了,逻辑电路自然不用说,关键层需要纳米级的精密刻蚀,即便像DRAM之类相对粗糙的存储芯片,要刻出...
等离子体蚀刻可能是半导体制造中最重要的工艺,也可能是仅次于光刻的所有晶圆厂操作中最复杂的。几乎一半的晶圆制造步骤都依赖于等离子体,一种高能电离气体来完成它们的工作。 尽管晶体管和存储单元不断缩小,工程师们仍在继续提供可靠的蚀刻工艺。 Lam Research负责蚀刻产品集团营销的公司副总...
CCP全称是Capacitively Coupled Plasma,即电容耦合等离子。是一种广泛用于芯片制造刻蚀的工艺,能够以极高的精度和对材料的最小损伤来刻蚀晶圆材料。 CCP工作原理: 电容耦合等离子体刻蚀由两块平行金属板组成,两个金属电极相隔一小段距离。反应器中的气体压力可以小于或...
在芯片制程中,几乎所有的干法制程,如PVD,CVD,干法刻蚀等,都逃不过辉光放电现象。辉光放电,是一种在低压下电离气体的过程,它在半导体制程中的许多重要步骤中有着核心作用。那您知道什么是“启辉”吗?为什么会辉光放电吗?那我们就带着问题来解答。 什么是“启辉&...
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